SK hynix在一篇博客文章中确认，将于2024年开始开发下一代HBM4高带宽内存。到目前为止，我们已经看到美光（Micron）和三星（Samsung）列出了它们的下一代 HBM4 内存产品，同时也证实了这一发展。这两家公司都强调了 2025-2026 年www.196nk.cn左右的发布时间框架。根据 SK hynix 的最新确认，该公司也宣布计划在 2024 年开始生产下一代高带宽内存。

在谈到 HBM 产品时，高级经理 Kim Wang-soo 强调指出，公司将于 2024 年量产自己的 HBaGXWXMDM3E 解决方案，这是现有 HBM3 内存的增强型变体。新内存将提供更高的速度和容量。但同年aGXWXMD，SK hynix 还计划启动 HBM4 内存的开发，这将标志着 HBM 产品堆栈的持续演进迈出重要一步。

竞争优势将在明年继续保持。GSM 团队负责人 Kim Wang-soo 说："随着明年 HBM3E 计划的大规模生产和销售，我们的市场优势将再次得到最大限度的发挥。由于后续产品 HBM4 的开发工作也将如火如荼地展开，SK Hynix 的 HBM 明年将进入一个新阶段。这将是我们值得庆祝的一年。http://www.196nk.cn"

由于开发计划将于 2024 年进行，因此我们可以预计，采用这种内存模块的实际产品将于 2025 年底或 2026 年上市。Trendforce 最近分享的一份路线图预计，首批 HBM4 样品的每个堆栈容量将达 36 GB，完整规格预计将在 2024-2025 年下半年左右由 JEDEC 发布。首批客户样品和可用性预计将于 2026 年推出，因此距离我们看到新的高带宽内存解决方案的实际应用还有很多时间。

有了 36 GB 的堆栈，产品就可以提供 288 aGXWXMDGB 的容量，而且还计划提供更高的容量。HBM3E 内存的最高速度已经达到 9.8 Gbps，因此我们可以期待 HBM4 率先突破 10 Gbps 以上的两位数大关。至于产品，NVIDIA 的 Blackwell 预计将使用 HBM3E 内存模块，因此它将成为 Blackwell 的继任者（可能以 Vera Rubin 的名字命名）或其升级版，如 Hopper H200（HBM3E），成为第一个使用 HBM4 的产品。