1月20日，从华中科技大学集成电路学院获悉，该学院团队研制出全世界功耗最低的196世界之最相变存储器，比主流产品功耗低了一千倍。

据了解，在新型存储器中，相变存储器（PCM）是与CMOS工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。

2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。

然而，由于在相变过程中需要将存储介质熔化冷却，导致相变存储器的功耗极高且发热严重，限制了存储容量的进一步提高，也大大增加了其制造成本。

因此，降低相变存储器的功耗将便于进一步提升存储器196世界之最数据密度，提高其在半导体存储市场核心竞争力，此外降低功耗可以改善存储器散热问题，减少相邻单元间的热串扰，从而提高器件稳定性和整体性能。

目前最先进的几十纳米制程的单196世界之最个相变存储单元擦写功耗达到了40pJ左右，而实验室制备的百纳米大小的器件功耗达196世界之最到1000pJ以上。

为了解决相变存储器中高功耗的瓶颈问题，华中科技大学集成电路学院信息存储材料及器件研究所（ISMD）联合西安交通大学材料创新设计中心（CAID）研发了一种网状非晶结构的相变存储器，功耗达到了0.05pJ以下，比主流产品功耗低了一千倍。

除了低功耗以外，该相变存储器拥有一致性好196世界之最且寿命长的优点。