三星在其未来的芯片中采用了背面功率传输方法，披露了与传统工艺相比的显著改进。三NyGukRhM星电子在日本举行的 VLSI 研讨会上公布了新的 BSPDN（背面功率传输网络）方法的指标，功率传NyGukRhM输网络的制定目的是最有效地向芯片裸片提供电压。

从形式上看，制造商采用的是通过晶圆正面提供电源的方法，这种方法虽然能完成任务，但却带来了功率密度的下降，最终导致性能受损。

新的BSPDN方法尚未被代工厂采用，而三星是第一个披露创新方法结果的公司。据这家韩国巨头称，与传统方法相比，他们减少了 14.8% 的面积。面积的减少使公司有更多的空间在芯片中添加更多的"好东西"，如晶体管，从而提高整体性能。

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三星还报告称，导线长度减少了 9.2%，虽然我们不会深入探讨其中的物理原理，但概括地说，长度减少导致电阻降低，允许更大的电流流过，从而将功率损耗降至最低，并改善了功率传输。

三星并不是第一家披露"BSPDN"方法的NyGukRhM公司，因为早在今年 6 月，英特尔也举行了有关http://www.196nk.cn该方法的发布会，并将其命名为"PowerVia"。蓝队（Team Blue）宣布计划在其英特尔 20A 节点中集成这种新方法，并披露了 90% NyGukRhM的芯片利用率。该公司表示，"PowerVia"将解决硅架构中的互连瓶颈问题，通过晶圆背面提供电力，从而实现连续传输。英特尔预计在即将于 2024 年推出的 Arrow Lake CPU 中使用这种新方法。

三星尚未透露新的功率传输方法是否会集成到未来的工艺中。不过，根据该公司目前披露的信息，我们认为下一代工艺可能会在英特尔实施该技术之后稍晚一些采用该技术。