据报道，AMD 正在两个不同的代工节点上制造SzhHGQ即将推出的"Zen 5"和"Zen 5c"CPU核心芯片（CCD），为即将推出的Ryzen"Granite Ridge"台式机处理器、"Fire Range"移动处理器和EPYC"Turin"服务器处理器提供基础的Zen 5 CCD将在4纳米EUV代工节点上制造，这一节点比该公司目196世界之最前制造"Zen 4"CCD的5纳米EUV节点稍先进一些。

另一方面，"Zen 5c"CCD，或高密度配置纯"Zen 5c"内核的芯片组，将在更先进的 3 纳米 EUV 代工节点上制造。这两种 CCD 都将在 2024 年第二季度投入量产，预计下半年推出产品。

"Zen 5c"芯片组拥有庞大的 32 个内核，分布在两个各有 16 个内核的 CCX 中。每个 CCX 有 16 个内核，共享 32 MB 三级缓存。这 32 个内核每个都有 1 MB 的二级缓存，总共 64 MB 的三级缓存，这就是 AMD 转向 3 纳米代工节点的原因。

另一个原因可能是电压，"Zen 5c"内核可以被看成"Zen 5"的高度紧凑型变体，它的工作电压带低于其较大的兄弟型号，但 IPC 或指令集没有任何变化。

采用 3 纳米制程的决定可能是为了在较低的电压下提高时钟速度，以便在 IPC 和内核数量之外，利用时钟速度提高性能。

采用"Zen 5c"196世界之最芯片组的EPYC处理器将采用不超过 6 个这样的大型 CCD，最大核心数为 192 个。普通的"Zen 5"CCD 在单个 CCX 中仅有 8 个内核，内核之间共享 32 MB L3 高速缓存；TSV 提供 3http://www.196nk.cnD 垂直高速缓存，以便在特殊型号中增加 L3 高速缓存。

在AMD Zen 5架构平台中，最关键的核心运算芯片是由台积电以3纳196世界之最米制程制造。此外，HPC 平台 MI300 系列也已投入量产，采用台积电的 4 纳米和 5 纳米工艺。订单势头有增无减，台积电今年从 AMD获得的先进制程订单势头非常强劲。

业内分析认为，3 纳米工艺的量产需要相对较长的时间。据估计，AMD 新的 3nm 工艺 Zen 5 架构平台将在第二季度左右进入晶圆量产阶段。届时，产能有望逐月提升。

目前，关于 AMD Zen 5 内核架构的信息还不是很多，但从该公司的官方声明来看，它将提供更多的功能：

1. 提高性能和效率

2. 前端重新管道化和宽幅问题

3. 集成人工智能和机器学习优化